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据报道，三星电子已向荷兰半导体设备制造商ASML订购了约20台极紫外（EUV）光刻设备——这些是用于亚10nm先进工艺的关键设备。包括深紫外（DUV）设备在内，总光刻设备订单达到约70台。三星计划利用这一压倒性数量的光刻设备，在先进工艺技术上保持对SK海力士和美光等竞争对手的决定性领先。
据4月6日多家半导体行业消息人士透露，三星电子已向ASML和日本佳能发出采购订单（PO），订购约70台光刻设备，这些设备将安装在平泽园区Fab 5（P5）第一阶段。
值得注意的是，单是这约20台EUV光刻设备价值就超过10万亿韩元。这些设备将被用于提升三星1c节点的生产能力——这是其第六代10nm级DRAM工艺。随着1c工艺生产力的提升，该节点上构建的第六代高带宽存储器（HBM4）产量也将增加。
三星今年2月实现了HBM4的大规模生产——全球首创——并已开始向全球最大AI半导体公司NVIDIA供应。HBM4被安装在NVIDIA最新的高性能GPU Rubin上。Rubin预计将于今年下半年开始大规模出货，供应对象包括谷歌和亚马逊等美国科技巨头。业界预计Rubin将产生超过1万亿美元的收入。
三星正按照Rubin推出时间表，在华城H3线17和平泽P3/P4工厂扩大HBM4生产。一旦ASML按序交付新订购的EUV设备，三星预计将同时扩大DRAM和HBM4产量，进一步巩固其在存储半导体市场的统治地位。
此次订单的光刻设备计划在明年第一季度交付，正好赶上P5第一阶段洁净室建设。鉴于半导体设备出货通常需要约一年时间，三星预计将在第二季度开始在P5洁净室安装EUV及其他光刻设备。因此，三星的1c DRAM和HBM4生产能力很可能在明年上半年显著增加。
业界观察人士指出，这次大规模光刻设备订单标志着三星开始在先进工艺技术上拉大与竞争对手的技术差距。在HBM市场激烈竞争的SK海力士，上个月末与ASML签署了价值约12万亿韩元的EUV供应合同，涉及约20台设备。SK海力士计划将其EUV设备总数增加至约40台，以加强在先进工艺方面的竞争力。
然而，随着三星额外订购约20台EUV设备，两家公司之间在先进工艺方面的设备差距很可能持续存在。三星目前运营约40台EUV设备——大约是SK海力士机队的两倍。加上包括EUV在内的70台光刻设备，三星能够在先进工艺主导权的竞争中继续领先SK海力士。此外，分析师认为，这将使三星在1d节点开发竞赛中占据有利位置——1d节点是预计从HBM5E开始采用的第七代10nm级DRAM。
三星计划在平泽P5部署约20台EUV设备。如果P5的四个阶段全部配置为DRAM生产线，三星的产量可能超过SK海力士的两倍。
一位熟悉此事的消息人士解释道：“过去新建工厂时，通常先确定NAND闪存生产线，但这次由于预计HBM4出货量增加，决定优先扩展DRAM生产线。EUV设备预计从明年第二季度开始按序安装。”
（来源：编译自sedaily）
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